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実験 | Experiments

光励起を用いた有機金属気相成長による窒化インジウムガリウム（InGaN）の成長

InNを含む窒化物半導体混晶（InGaN）は赤色および赤外の発光・受光素子材料として期待されています。しかし、混晶の構成成分であるInNの解離温度が低いのでInGaN混晶の気相成長は比較的低い温度でしか行えず、この成長温度における制限が高品質薄膜作製の妨げとなっています。本研究では、熱を伴わずに吸着原子の拡散および表面反応を促す光励起法を用いて、高品質InGaN薄膜の気相成長を行っています。

ハロゲン系気相エピタキシーによるInAsSbの成長

現在の赤外線センサは高い性能を発揮するために冷却が必要です。この冷却機構はセンサを高価で大型なものにしてしまっているため非冷却で測定が可能な赤外線センサ材料が求められています。III-V族化合物半導体のInAsSbは冷却機構を必要としない新しい赤外線センサ材料として期待されていますが、未だ実用化には至っていません。センサには十分に厚い膜を用いる必要があるのですが、速い作製技術が確立していないためです。そこで我々は半導体の気相成長の中でも速度の速いハロゲン系気相エピタキシーを用いたInAsSbの成長を試みています。