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特許･知的財産

特許･知的財産 | Patents

四法名称 名称 公開登録番号
特許半導体素子及び結晶積層構造体DE112015003943
特許半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法WO2017/104341
特許半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法CN106471163
特許半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法EP3141635
特許結晶積層構造体、及びその製造方法2016-183107
特許窒化物半導体結晶、製造方法および製造装置EP3059336
特許窒化物半導体結晶、製造方法および製造装置US2016/0186361
特許β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及び結晶積層構造体CN105992841
特許β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及び結晶積層構造体US2016/0265137
特許β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及び結晶積層構造体EP3054037
特許高耐圧ショットキーバリアダイオードTW201706440
特許高耐圧ショットキーバリアダイオードWO2016/152536
特許結晶積層構造体TW201641735
特許結晶積層構造体WO2016/152335
特許半導体素子及び結晶積層構造体TW201620014
特許半導体素子及び結晶積層構造体WO2016/031633
特許ショットキーバリアダイオード2017-045969
特許半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法TW201606114
特許半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法WO2015/170774
特許高耐圧ショットキーバリアダイオード2016-178250
特許半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法2017-109902
特許結晶積層構造体2016-175807
特許β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及び結晶積層構造体WO2015/046006
特許β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及び結晶積層構造体TW201522680
特許窒化物半導体結晶、製造方法および製造装置WO2015/037232
特許半導体素子及び結晶積層構造体2016-051794
特許β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及び結晶積層構造体2015-091740
特許半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法2015-214448

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